| 热(rè)門(mén)搜索： 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
供應(yìng)信(xìn)息
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，型号(hào)豐富
压敏電(diàn)压U1mA
压敏電(diàn)阻的(de)線(xiàn)性(xìng)向(xiàng)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)轉(zhuǎn)變(biàn)的(de)電(diàn)压轉(zhuǎn)變(biàn)时(shí)，位(wèi)于非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)點(diǎn)電(diàn)压正(zhèng)好在(zài)I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)的(de)拐點(diǎn)上(shàng)，該電(diàn)压确定(dìng)为(wèi)元(yuán)件(jiàn)的(de)启動(dòng)電(diàn)压，也(yě)稱为(wèi)压敏電(diàn)压，是(shì)由阻性(xìng)電(diàn)流測試而(ér)得的(de)。由于I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)轉(zhuǎn)變(biàn)點(diǎn)清(qīng)晰度(dù)不(bù)明(míng)顯，多數情(qíng)況下(xià)是(shì)在(zài)通(tòng)1mA電(diàn)流时(shí)測量(liàng)的(de)，用(yòng)U1mA来(lái)表(biǎo)示。对(duì)于一(yī)定(dìng)尺(chǐ)寸(cùn)規格的(de)ZnO压敏電(diàn)阻片(piàn)，可(kě)通(tòng)过(guò)調节(jié)配方(fāng)和(hé)元(yuán)件(jiàn)的(de)幾(jǐ)何尺(chǐ)寸(cùn)来(lái)改變(biàn)其(qí)压敏電(diàn)压。亦有(yǒu)使用(yòng)10mA電(diàn)流測定(dìng)的(de)電(diàn)压作(zuò)为(wèi)压敏電(diàn)压者(zhě)，以及(jí)使用(yòng)标(biāo)稱電(diàn)流測試者(zhě)，标(biāo)稱電(diàn)压定(dìng)義为(wèi)0.5mA/cm2，電(diàn)流密度(dù)測定(dìng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù)E0.5表(biǎo)示，对(duì)于大(dà)多數压敏電(diàn)阻器而(ér)言，这(zhè)个(gè)值更(gèng)接近(jìn)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)始點(diǎn)。3. 漏電(diàn)流IL压敏電(diàn)阻器進(jìn)入(rù)击穿區(qū)之(zhī)前(qián)在(zài)正(zhèng)常工作(zuò)電(diàn)压下(xià)所(suǒ)流过(guò)的(de)電(diàn)流，稱为(wèi)漏電(diàn)流IL。漏電(diàn)流主要(yào)由三部(bù)分(fēn)貢獻：元(yuán)件(jiàn)的(de)容性(xìng)電(diàn)流，元(yuán)件(jiàn)的(de)表(biǎo)面(miàn)态電(diàn)流和(hé)元(yuán)件(jiàn)晶界電(diàn)流。一(yī)般对(duì)漏電(diàn)流的(de)測量(liàng)是(shì)将0.83倍U1mA的(de)電(diàn)压加于压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端，此(cǐ)时(shí)流过(guò)元(yuán)件(jiàn)的(de)電(diàn)流即为(wèi)漏電(diàn)流。根(gēn)據(jù)压敏電(diàn)阻器在(zài)预击穿區(qū)的(de)導電(diàn)機(jī)理(lǐ)，漏電(diàn)流的(de)大(dà)小明(míng)顯地(dì)受到(dào)环(huán)境温(wēn)度(dù)的(de)影響。當环(huán)境温(wēn)度(dù)較高时(shí)，漏電(diàn)流較大(dà)；反(fǎn)之(zhī)，漏電(diàn)流較小。可(kě)以通(tòng)过(guò)配方(fāng)的(de)調整及(jí)制造工藝的(de)改善来(lái)減小压敏電(diàn)阻器的(de)漏電(diàn)流。研究低(dī)压元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流来(lái)源是(shì)很重(zhòng)要(yào)的(de)，为(wèi)了(le)促進(jìn)ZnO晶粒(lì)的(de)长(cháng)大(dà)，低(dī)压元(yuán)件(jiàn)中(zhōng)通(tòng)常会添加大(dà)量(liàng)的(de)TiO2，过(guò)量(liàng)摻雜造成(chéng)压敏元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流增大(dà)[6]～[9]，在(zài)元(yuán)件(jiàn)性(xìng)能(néng)測試时(shí)容易引入(rù)假象(xiàng)，例如(rú)压敏電(diàn)压和(hé)启動(dòng)電(diàn)压偏離較大(dà)。測試元(yuán)件(jiàn)的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)时(shí)，我们(men)希望漏電(diàn)流以通(tòng)过(guò)晶界的(de)電(diàn)流为(wèi)主。但低(dī)压元(yuán)件(jiàn)普遍(biàn)存在(zài)吸潮(cháo)現(xiàn)象(xiàng)，初燒成(chéng)的(de)低(dī)压元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流可(kě)以保持(chí)在(zài)4～20μA內(nèi)，放(fàng)置8～24h後(hòu)，元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流可(kě)以增大(dà)到(dào)200μA。这(zhè)樣(yàng)的(de)元(yuán)件(jiàn)的(de)晶界非(fēi)線(xiàn)性(xìng)並(bìng)沒(méi)有(yǒu)被(bèi)破壞，但卻表(biǎo)現(xiàn)出(chū)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)低(dī)，压敏電(diàn)压也(yě)稍有(yǒu)降低(dī)的(de)表(biǎo)象(xiàng)。
由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多，篇(piān)幅有(yǒu)限，恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn)，欲知詳请，歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子（www.jqmi.com.cn）聯系(xì)，謝謝！
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷：
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo，負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ，正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù)，VZn为(wèi)受主态，使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘，约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态，是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻，提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo)，主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧，在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo，但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。
源林(lín)電(diàn)子（www.jqmi.com.cn）压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng)，歡迎来(lái)電(diàn)！
您好，歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子，歡迎咨詢...
 触屏版二(èr)維碼 |
